株式会社フローディア（以下「フローディア」、本社：東京都小平市、代表取締役社長：奧山幸祐）は、組込型不揮発性メモリ IPの今後の事業拡大に必要な資金として、国内外の主要投資グループ、並びに事業会社を中心に、16億円の資金調達を実施しました。

　主たる出資は台湾の半導体ファンドリー会社関連のVCによって行われ、さらに国内主要投資会社・事業会社も賛同するという画期的枠組みで実施されました。フローディアは今回調達した資金に依り、開発中の不揮発性メモリIPを主要なファンドリー各社に展開する活動を継続的に強化する計画です。

　今回フローディアに資金を拠出したVCおよび基金は以下の各社です。

　Fortune Venture Capital Corporation；　台湾UMC Capitalグループ、本社：台北市

　Chih-Hung Investment Corporation；　台湾Faraday Technology Corporation グループ、本社：新竹市

　株式会社産業革新機構；　本社：東京都千代田区

　Golden Asia Fund.；　三菱ＵＦＪキャピタル株式会社と台湾ITIC (ITRIグループ) の共同ファンド、本社：Cayman諸島

　大和企業投資株式会社；　本社：東京都千代田区

　SBIインベストメント株式会社；　本社：東京都港区

　リアルテックファンド；　運営会社：合同会社ユーグレナSMBC日興リバネスキャピタル、東京都港区

　株式会社みらい創造機構；　本社：東京都千代田区

　TEL Venture Capital, Inc.；　東京エレクトロングループ、本社：米国カルフォルニア州

　フローディアは、ルネサスエレクトロニクス株式会社でフラッシュメモリを開発していたエンジニアが2011年に設立したベンチャー企業です。メモリ製造に必要な工程・回路を、IP（回路ブロック、及び製法）としてライセンス提供するビジネスモデルを展開しています。フローディアの開発チームは、回路設計と製造プロセスを含むIP技術全般をカバーしており、顧客の要求スペックに応じた最適メモリの開発が可能で、且つ次世代のIoT（Internet of Things）端末、自動車用高信頼性部品に最も適した組込型不揮発性メモリIPを提供できることを強みとしています。

　フローディアは、2015年6月に、組込型不揮発メモリIPの開発加速のため、株式会社産業革新機構、三菱ＵＦＪキャピタル株式会社、及び大和企業投資株式会社の3社から、計8億円の資金調達を行っております。

今回の資金調達は、先の資金による開発成果を事業に拡大することを目的としており、IoT（Internet of Things）社会に求められる「使い易く、頑強・高信頼性で、低コストな」組込型不揮発性メモリIPを幅広く提供することを可能にするものです。加えてその技術の特徴を従来の組込型不揮発メモリIP市場のみならず、多様な用途に応用展開することも視野に入れた活動を展開してまいります。

　台湾第2位ファンドリーメーカUMCグループの一員であるUMC Capitalの取締役Duen-Chian Cheng 氏からは、次のコメントを頂いています。

「組込型不揮発メモリはSoCの主要なコンポーネントと考えられ、ファンドリーとしては、プロセスの微細化とともに、そのIPの顧客への提供価格、および信頼性を如何に担保するかが大きな課題となっている。我々はFloadiaのSONOS技術が車載を含めた市場要求を十分に満たす実績のあるものと評価している。」

　また台湾ITRIグループ投資部門であるITICのExecutive VP CJ. Chang氏は、

「IoT端末にとって、組込型不揮発性メモリは不可欠の構成要素である。フローディアの高信頼性、且つ、低価格の組込型不揮発性メモリは、IoT端末の大量普及を可能にし、IoTビジネスの収益性を高めることが期待される。フローディアは、製品展開において顧客に近い台湾を設計の重要拠点と位置づけ、日本と台湾との連結したビジネスを推進している。このような両国間に渡る協力関係でビジネスが展開され、世界市場に拡大していくという事業モデルが、新たな投資対象として期待される。」と語っています。

　株式会社産業革新機構の勝又幹英代表取締役社長からは、以下のコメントを頂いています。

「組込型不揮発性メモリは、IoTが実装される第四次産業革命において、より一層多様な用途で需要が拡大していくことが予測される。このような状況下で、フローディアが開発・提供する組込型不揮発性メモリは、省電力・省スペース・低コスト化の要求を確実に実現することにより、車載アプリケーションへの対応に加え、従来の組込型不揮発性メモリの適用領域を大きく超える可能性を持っている。日本発の半導体技術が世界的に発展していくことを期待している。」

注）不揮発性メモリ：電源供給を行わない状態でも書き込まれたデータが消えない半導体メモリの総称。　

株式会社フローディアについて

　設立　　　　　　　2011年4月

　事業内容　組込型不揮発性メモリの設計開発

　本社所在地　東京都小平市小川東町1丁目30番9号

　代表取締役社長　奥山　幸祐（おくやま　こうすけ）