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ファラデー社が55nm eFlash(フラッシュメモリ)内蔵可能な次世代MCU ASICを開発

【新竹（台湾）2016年12月15日PR Newswire】ASIC設計サービスとIPの大手プロバイダーであるファラデーテクノロジー社（Faraday Technology Corporation）（TWSE: 3035）は15日、より高性能のMCUを提供可能な55nm eFlashベースのASICソリューションを提供する準備が整ったと発表しました。ファラデー社のフラッシュ内蔵のMCU ASICは、90nmをスキップし、8インチ0.11umのソリューションから12インチ55nm eFlashプロセスノードにジャンプします。これにより大幅な低消費電力／低リーク電流と性能向上を提供することが可能となります。ファラデー社は、既にMFP（多機能プリンター）やスマートメーターなど、多くの応用分野でデザイン・ウィンを獲得しています。

この55nm eFlashベースのASICソリューションは、ファラデー社のPowerSlash（TM）ライブラリーとデバイス性能をアップするTurbo Mode機能を搭載したメモリーIPで構成されています。ファラデー社は、SoCシリコンの開発を加速する為、多種にわたるインターフェースIPやUranus（TM）SoC開発プラットフォームを提供します。55nmデザイン・ウィンに加え、ファラデー社のeFlashソリューションはタッチパネル、ファクトリー・オートメーション、車載用途に実装され、拡大を続ける市場のニーズに応えています。

ファラデー社のスティーブ・ワン社長は「高性能なMCUへの需要に応える為、ファラデー社は55nm eFlashベースASICソリューションによって、新しいマイグレーション・パスを提供可能です。われわれは、UMCファブに当社のASICソリューションを実装する為の豊かな経験と知見を擁しており、このeFlashブロックの歩留まり向上にも寄与できると考えています。われわれはこの55nmソリューションを活用することにより、当社のお客様がコスト優位性とタイムトゥーマーケットを必要とする市場で、ビジネスチャンスをつかむことに寄与できます」と語った。

ファラデーテクノロジー社（Faraday Technology Corporation）について

ファラデーテクノロジー社（TWSE: 3035）はASICデザイン・サービスおよびIPの大手プロバイダーです。幅広いIPポートフォリオには、I/O、セル・ライブラリー、メモリー・コンパイラー、ARM互換のCPU、DDR2/3/4、低電力消費DDR1/2/3、MIPI、V-by-One、MPEG4、H.264、USB 2.0/3.1 Gen 1、10/100/1000 Ethernet、シリアルATA、PCI Express、プログラマブルSerDesなどが含まれます。台湾に本社を置くファラデー社は米国、日本、欧州、中国など世界中にサービスとサポートの事務所を構えています。

ファラデー社に関する詳しい情報はウェブサイトwww.faraday-tech.com を参照下さい。

（日本語リリース：クライアント提供）

Faraday Readies MCU ASIC Migration Path with 55nm eFlash

PR66846

HSINCHU, Taiwan, Dec. 15, 2016 /PRNewswire=KYODO JBN/ --

    Faraday Technology Corporation (TWSE: 3035), a leading ASIC design service

and IP provider, today announced its 55nm eFlash-based ASIC solution is ready

to support better MCU performance. By skipping 90nm, Faraday's MCU ASIC path

strides directly from 8-inch 0.11um to 12-inch 55nm eFlash process node,

offering much lower power/leakage and significant performance gain. Faraday has

already achieved multiple design wins, such as MFP (Multifunction printer) and

smart meter.

   This 55nm eFlash-based ASIC solution consists of Faraday's PowerSlash(TM)

library and memory IP with Turbo Mode feature to accelerate device performance;

Faraday also provides versatile interface IPs and the Uranus(TM) SoC

development platform to speed-up the development of the SoC silicon. In

addition to the 55nm design wins, Faraday's eFlash solution has been

implemented in touch panels, factory automation, and automotive appliances to

address the ever-expanding market.

   "In order to meet the growing demand for advanced MCUs, Faraday has readied

the new migration path with the 55nm eFlash-based ASIC solution," said Steve

Wang, President of Faraday. "We have abundant experience and knowledge to

implement our ASIC solution at UMC's fab, helping obtain better yield

improvement for the eFlash blocks. By utilizing this 55nm solution, we are

confident that we can assist our customers to seize business opportunities in

the market with cost advantages and faster time-to-market."

   About Faraday Technology Corporation

   Faraday Technology Corporation (TWSE: 3035) is a leading ASIC design service

and IP provider. The broad silicon IP portfolio includes I/O, Cell Library,

Memory Compiler, ARM-compliant CPUs, DDR2/3/4, low-power DDR1/2/3, MIPI,

V-by-One, MPEG4, H.264, USB 2.0/3.1 Gen 1, 10/100/1000 Ethernet, Serial ATA,

PCI Express, and programmable SerDes, etc. Headquartered in Taiwan, Faraday has

service and support offices around the world, including the U.S., Japan,

Europe, and  China.

   For more information about Faraday, please visit: www.faraday-tech.com.

   SOURCE: Faraday Technology Corporation