ヴィスICテクノロジーズが業界新記録、窒化ガリウムのデバイスが高周波で最高効率を示す

AsiaNet 64682

テルアビブ（イスラエル）、2016年6月6日/PRニュースワイヤー/ --

ヴィスICテクノロジーズ(VisIC Technologies：http://www.visic-tech.com/ )は、新世代のオールスイッチ（ALL-Switch）V22S65A（内部SiCダイオード使用）とV22N65A（内部SiCダイオードなし）を発表いたします。

     (写真: http://photos.prnewswire.com/prnh/20160603/375139 )

     (写真: http://photos.prnewswire.com/prnh/20160603/375140 )

この新バージョンのヴィスICオールスイッチはMILLER効果を大幅に削減し、すぐに使用できる標準ドライバーがヴィスICの構造で使えるようになります。これらの新しい機器は特定のアプリケーションで必要な部品表を減らすこともできます。

ハードスイッチング・トポロジで非常に効果的であるため、V22シリーズはゼロ電圧スイッチングあるいはゼロ電流スイッチング・トポロジに使用できます。650VＧａＮまたはSiC MOSFETトランジスタでオン抵抗が最も低くなり、スルーレートが100V/nSを超えると電力変換効率が非常に高くなります。

さらに閾値電圧が5Vを超えるため、厳しいEMI環境下でも機器は正常に作動します。

ヴィスICテクノロジーズは、ハードスイッチ・トポロジが2.5KWを出力し、200 kHzでの最大効率が99. 3 %を超えるという、ハーフブリッジ・デモンストレーションボードの性能を世界的に証明しました

ヴィスICテクノロジーズについて

イスラエルのネスシオナに拠点を置くヴィスICテクノロジーズは2010年、GaNによる先進の電力変換を開発、販売しようと、窒化ガリウム（GaN）技術の専門家たちが創立しました。ヴィスICは高出力のGaNトランジスタとモジュールの開発に成功し、今や市場に投入しようとしています。（GaNは、現在電力変換システムで使用しているシリコン（Si）製品の大半に取って代わることが見込まれています）ヴィスICはGaN技術の主要な特許を取得、追加の特許を申請中です。

詳細はわが社のウェブサイトをご参照ください：http://www.visic-tech.com/　GaNで最高効率。

詳細は下記までお問い合わせください:

セールス＆マーケッティング

Eli Zenouda ディレクター

+972-54-2296641

eliz@visic-tech.com

情報源：ヴィスICテクノロジーズ

（日本語リリース：クライアント提供）

VisIC Technologies Ltd - New Product Generation Industry's Record - Gallium Nitride Device with Highest Efficiency at Highest Frequency

PR64682

TEL AVIV, Israel, June 6 /PRNewswire=KYODO JBN/ --

     VisIC Technologies [http://www.visic-tech.com ] is pleased to announce

availability of its new generation of ALL-Switch V22S65A (with an internal SiC

diode) and V22N65A (without internal SiC diode).

     (Photo: http://photos.prnewswire.com/prnh/20160603/375139 )

     (Photo: http://photos.prnewswire.com/prnh/20160603/375140 )

    This new version of VisIC's ALL-Switch significantly reduces the MILLER

effect enabling readily available, standard drivers to be used in VisIC-based

designs. These new devices also reduce the bill of materials required for

specific applications.

    Extremely effective in hard switching topologies, the V22 series may be

used for Zero Voltage Switching or Zero Current Switching topologies. It has

the lowest Rdson among either 650V GaN or SiC MOSFET transistors, and can

achieve extremely efficient power conversion with slew rate exceeding 100V/nS.

    In addition, since the threshold voltage exceeds 5V, the devices work well

in harsh EMI environments.

    VisIC Technologies has demonstrated worldwide record   with performance of

its Half Bridge demonstration board, achieving better than 99.3 % peak

efficiency at 200 kHz in a hard-switched topology providing 2.5KW output.

    About VisIC Technologies Ltd

    Based in Nes Ziona, Israel, VisIC Technologies, Ltd. was established in

2010 by experts in Gallium Nitride (GaN) technology to develop and sell

advanced GaN-based power conversion products.  VisIC has successfully

developed, and is bringing to market, high power GaN-based transistors and

modules.  (GaN is expected to replace most of the Silicon-based (Si) products

currently used in power conversion systems.) VisIC has been granted keystone

patents for GaN technology and has additional patents pending.

    For more information please access our website: http://www.visic-tech.com .

The highest efficiency with GaN.

     For additional information, please contact:     Eli Zenouda - Director

Sales & Marketing     +972-54-2296641     eliz@visic-tech.com

SOURCE:  VisIC Technologies, Ltd.