◎PVA TePla AGが量産向けSiC結晶化システム「baSiC-T」を紹介
◎PVA TePla AGが量産向けSiC結晶化システム「baSiC-T」を紹介
AsiaNet 54391
共同JBN 1102 （2013.10.1）
【ベッテンベルク（ドイツ）2013年10月1日PRN＝共同JBN】
＊ハイパフォーマンス電子機器向けシリコンカーバイド（炭化ケイ素、SiC）
＊工業生産利用の成功
＊量産向け高度自動化
＊低操業コスト
▽ハイパフォーマンス電子機器向けSiC
SiC結晶は特に、ハイテク市場で働く顧客から求められている。代表的アプリケーションは、ハイブリッド車、電気自動車、空調システム、LEDアプリケーション、太陽光発電向けなどd.c./a.c.コンバーターなどハイパフォーマンス電子機器が含まれる。シリコンカーバイド材の大きな利点は、通常のシリコン部品と比較して、40%余りのエネルギー消費の大きな節約になることである。これに加えて、製品がまた高温かつ1万ボルトを超える高圧で利用できることから、将来は半導体産業に完全に新しい展望をもたらすことである。このことは今日使われているシリコンの能力を劇的に超越することになる。
▽モジュラー構造と高度の自動化
革新的な結晶化システムbaSiC-Tの設計は、モジュラーコンセプトに基づいており、直径が最大150mmまでで使われる基板が可能になる。baSiC-Tの低操業コストと高度自動化は、シリコンカーバイドの安価な量産に役立つ。
▽工業生産利用の成功
SiC結晶を製造するシステムは、既に欧州とアジアのいくつかの顧客に提供されており、システムの素晴らしいパフォーマンスを実証して成功裏に受け入れられている。
baSiC-Tに関する詳しい情報は以下のリンクで閲覧できる。
http://www.pvatepla.com/en/products/crystal-growing-systems/pva/sic-(htcvd-htcvt)/typ-basic-t
▽パワーエレクトロニクス分野におけるPVA TePlaについて
baSiC-Tに加えて、PVA TePlaのその他のシステム製品シリーズは、既にパワーエレクトロニクス分野で使われている。
SiCube（http://www.pvatepla.com/en/products/crystal-growing-systems/pva/sic-(htcvd-htcvt)/typ-sicube）は、冷却時挙動変化PVT（圧力・体積・温度）およびHTCVD（高温化学気相成長法）によるSiC結晶の量産用工業試験システムである。
当社のFloatzone（http://www.pvatepla.com/en/products/crystal-growing-systems/pva/floatzone/overview）（FZ35）
およびCzochralski（http://www.pvatepla.com/en/products/crystal-growing-systems/pva/czochralski-process/overview）（EKZ）両システムは、高純度シリコンの結晶化に使われる。
窒化ガリウム（GaN）・エピタキシー法処理を利用するサセプタ（susceptors）（http://www.pvatepla.com/fileadmin/downloads/PDF/products/Produkt_PDFs_Vakuum/Epitaxy.pdf）のリサイクルは、特殊なPVA TePla真空溶解炉（http://www.pvatepla.com/en/products/vacuum-furnaces/pva/vacuum-heat-treatment/overview）で実施される。
非破壊品質管理向けの別の革新的計測技術
（http://www.pvatepla.com/en/products/measurement）
もまた利用できる。
▽問い合わせ先
Dr. Gert Fisahn
Investor Relations
PVA TePla AG
Phone: +49(0)641/68690-400
gert.fisahn@pvatepla.com
ソース：PVA TePla AG
baSiC-T: New System Generation - Silicon Carbide (SiC) Crystals for Mass Production
PR54391
WETTENBERG, Germany, Oct. 1, 2013 /PRN=KYODO JBN/ --
- SiC for high-performance electronics
- Successful use in industrial production
- High degree of automation for mass production
- Low operating costs
SiC for high-performance electronics
SiC crystals are mainly required by customers working in high-tech markets.
Typical applications include high-performance electronics such as hybrid and
electric cars, air conditioning systems, LED applications and d.c./a.c.
converters for photovoltaics. The major advantage in silicon carbide material
lies in the enormous energy-saving potential of over 40% compared to
conventional silicon components. In addition to this, the future will bring
completely new prospects in the semi-conductor industry as the product can also
be used at high temperatures and high voltages in excess of 10,000 volts; this
dramatically exceeds the potential of the silicon used today.
Modular structure and high degree of automation
The design of the innovative crystallization system "baSiC-T" is based on a
modular concept and allows substrates with a diameter of up to 150 mm to be
used. Low operating costs and a high degree of automation in the baSiC-T
facilitate inexpensive mass production of silicon carbide.
Successful use in industrial production
Systems to manufacture SiC crystals have already been delivered to several
customers in Europe and Asia and been successfully accepted, providing proof of
the systems' outstanding performance.
More detailed information about the baSiC-T can be found at the following
link:
http://www.pvatepla.com/en/products/crystal-growing-systems/pva/sic-(htcvd-htcvt)/typ-basic-t
PVA TePla in the field of power electronics
In addition to the baSiC-T, a series of other PVA TePla systems are already
being used in the field of power electronics. The SiCube
http://www.pvatepla.com/en/products/crystal-growing-systems/pva/sic-(htcvd-htcvt)/typ-sicube
] is an industrially tested system for SiC volume crystal production by means
of PVT and HTCVD. Our Floatzone
http://www.pvatepla.com/en/products/crystal-growing-systems/pva/floatzone/overview
] (FZ35) and Czochralski
http://www.pvatepla.com/en/products/crystal-growing-systems/pva/czochralski-process/overview
] (EKZ) systems are used to crystallize high-purity silicon. The recycling of
susceptors
http://www.pvatepla.com/fileadmin/downloads/PDF/products/Produkt_PDFs_Vakuum/Epitaxy.pdf
] using GaN epitaxy processes is performed in special PVA TePla vacuum furnaces
http://www.pvatepla.com/en/products/vacuum-furnaces/pva/vacuum-heat-treatment/overview
]. Different innovative metrology technologies
[http://www.pvatepla.com/en/products/measurement ] for nondestructive quality
control are also available.
For further information, please contact:
Dr. Gert Fisahn
Investor Relations
PVA TePla AG
Phone: +49(0)641/68690-400
gert.fisahn@pvatepla.com
SOURCE: PVA TePla AG
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